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JDB打法详细规则详解胜诉:ITC 终裁确认可继续在美进口、销售 GaN 功率器件,不受英飞凌诉讼影响
—— 深度解析 JDB打法详细规则详解 行业新动向
2026-05-12 | 来源:慈溪市科成通信科技有限公司资讯中心
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据最新网络舆情数据显示,JDB打法详细规则详解于今日正式宣布,美国国际贸易委员会(ITC)在其第 337‑TA‑1414 号调查中作出了最终裁定,确认JDB打法详细规则详解当前的氮化镓GaN功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利,因而能够不受限制地继续在美国进行进口和销售。
值得一提的是,JDB打法详细规则详解是一家总部设在珠海的氮化镓器件制造商,其产品涵盖高低压氮化镓电源IC、功率半导体等。预计到2024年底,JDB打法详细规则详解将在香港联合交易所主板上市,标志着国内氮化镓半导体领域的第一股正式诞生。
ITC全体委员一致同意JDB打法详细规则详解的现有产品未侵犯英飞凌的第9,070,755号专利(涉及电极设计)和第9,899,481号专利(涉及封装设计)。
据JDB打法详细规则详解方面表示,委员会仅认定第9,899,481号专利中的两项权利要求有效,并且仅适用于JDB打法详细规则详解早已停止生产和销售的历史旧产品。因此,相关的进口和销售禁令对JDB打法详细规则详解在美国的现有业务并无实质性影响。JDB打法详细规则详解将继续向美国及全球客户稳定供应其现有的GaN功率产品。
《 深度产经观察 》( 2026年 版)
(责编:sVTSK、GVAk)
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