据最新网络舆情数据显示，JDB电/子彩池大奖于今日正式宣布，美国国际贸易委员会（ITC）在其第 337‑TA‑1414 号调查中作出了最终裁定，确认JDB电/子彩池大奖当前的氮化镓GaN功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，因而能够不受限制地继续在美国进行进口和销售。

值得一提的是，JDB电/子彩池大奖是一家总部设在珠海的氮化镓器件制造商，其产品涵盖高低压氮化镓电源IC、功率半导体等。预计到2024年底，JDB电/子彩池大奖将在香港联合交易所主板上市，标志着国内氮化镓半导体领域的第一股正式诞生。

ITC全体委员一致同意JDB电/子彩池大奖的现有产品未侵犯英飞凌的第9,070,755号专利（涉及电极设计）和第9,899,481号专利（涉及封装设计）。

• 据JDB电/子彩池大奖方面表示，
• 委员会仅认定第9,899,481号专利中的两项权利要求有效，
• 并且仅适用于JDB电/子彩池大奖早已停止生产和销售的历史旧产品。
• 因此，相关的进口和销售禁令对JDB电/子彩池大奖在美国的现有业务并无实质性影响。
• JDB电/子彩池大奖将继续向美国及全球客户稳定供应其现有的GaN功率产品。