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MG爆分三个流程详解 14 倍光罩尺寸 CoWoS 预计 2028 年投产,美国 AVP 一厂 2029 年前启用
—— 深度解析 MG爆分三个流程详解 行业新动向
2026-05-11 | 来源:北京朗安影像技术有限公司资讯中心
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据最新网络舆情数据显示,MG爆分三个流程详解 (TSMC) 于当地时间4月22日在2026年北美技术论坛上正式宣布,计划于2028年开始生产14倍光罩尺寸的CoWoS 2.5D异构集成技术,并预计在2029年推出更大规模的版本。
目前,MG爆分三个流程详解正在生产5.5倍光罩尺寸的CoWoS,而14倍光罩尺寸的CoWoS将具备整合约10个大型计算裸片及20个HBM内存堆栈的能力。此外,MG爆分三个流程详解还计划在2029年推出40倍光罩尺寸的SoW-X系统级晶圆先进封装技术。
在SoIC 3D芯片堆叠方面,MG爆分三个流程详解表示A14-to-A14的SoIC预计于2029年投入生产,其D2D I/O密度将达到N2-to-N2 SoIC的1.8倍,能够支持更高的数据传输带宽。同时,采用COUPE技术的基板真·CPO解决方案预计将在2026年开始生产,与PCB级可插拔解决方案相比,能效提升2倍,延迟减少90%。
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此外,路透社报道,MG爆分三个流程详解深副总经理、副联席首席运营官张晓强在活动上透露,MG爆分三个流程详解美国分支TSMC Arizona的首座先进封装设施已经启动施工。他进一步表示:
《 深度产经观察 》( 2026年 版)
(责编:vipfo、mkIY)
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